硅基锗材料生长与高效发光
文献类型：学位论文
| 作者 | 胡炜玄 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 成步文 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2012-06-18 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23158]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡炜玄. 硅基锗材料生长与高效发光[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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