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过渡金属催化有机不饱和键的理论研究

文献类型:期刊论文

作者汤浩 ; 胡蕴成 ; 武志坚
刊名东方电气评论
出版日期2011
卷号25期号:100页码:1-6
关键词Pd催化 反应机理 密度泛函理论 S-CN 键
ISSN号1001-9006
中文摘要使用密度泛函B3LYP以及分子轨道MP2和CCSD(T)方法,研究了Pd(PH3)2催化炔烃硫氰化的可能反应路径。对于异构化、插入和还原消除基元反应步骤,这3种方法给出了相似的结果。对应氧化加成反应,B3LYP水平单膦和双膦路径是竞争的,而MP2和CCSD(T)水平双膦路径更有反应优势。从电子给予和电子反馈角度研究了HS-CN与Pd(PH3)2和Pd(PH3)的氧化加成反应以及炔烃与Pd-B键的插入反应的电子机理。研究结果表明,炔烃与Pd-S或Pd-CN插入反应的区域选择性与S的p轨道有很大关系,因为从S的未杂化双占据p轨道到联烯π*反键的电子反馈作用使得Pd-S比Pd-CN更容易发生炔烃插入反应。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-12
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45167]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
汤浩,胡蕴成,武志坚. 过渡金属催化有机不饱和键的理论研究[J]. 东方电气评论,2011,25(100):1-6.
APA 汤浩,胡蕴成,&武志坚.(2011).过渡金属催化有机不饱和键的理论研究.东方电气评论,25(100),1-6.
MLA 汤浩,et al."过渡金属催化有机不饱和键的理论研究".东方电气评论 25.100(2011):1-6.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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