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MoO_3和SiO_2掺杂对Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质结构和导电性能的影响

文献类型:期刊论文

作者赵桂春 ; 周德凤 ; 杨梅 ; 夏燕杰 ; 孟健
刊名无机化学学报
出版日期2011
卷号27期号:5页码:860-864
关键词MoO3 掺杂 烧结助剂 晶界改善剂 电导率
ISSN号1001-4861
通讯作者孟健
中文摘要采用溶胶-凝胶法合成高纯(<50 mg·kg-1 SiO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500 mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻。结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺入NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-12
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45236]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
赵桂春,周德凤,杨梅,等. MoO_3和SiO_2掺杂对Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质结构和导电性能的影响[J]. 无机化学学报,2011,27(5):860-864.
APA 赵桂春,周德凤,杨梅,夏燕杰,&孟健.(2011).MoO_3和SiO_2掺杂对Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质结构和导电性能的影响.无机化学学报,27(5),860-864.
MLA 赵桂春,et al."MoO_3和SiO_2掺杂对Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质结构和导电性能的影响".无机化学学报 27.5(2011):860-864.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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