光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李文范 ; 刘秀英 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 卷号 | 2期号:4页码:1-10 |
| 关键词 | Si太阳电池 光化学 气相沉积 电导率 硅太阳电池 缓冲层 非晶硅 |
| ISSN号 | 1005-3093 |
| 中文摘要 | 本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出 Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45523]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李文范,刘秀英. 光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展[J]. 材料研究学报,1988,2(4):1-10. |
| APA | 李文范,&刘秀英.(1988).光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展.材料研究学报,2(4),1-10. |
| MLA | 李文范,et al."光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展".材料研究学报 2.4(1988):1-10. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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