圆盘微电极的卷积和交流伏安行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董绍俊 ; 贺军 |
| 刊名 | 应用化学
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 卷号 | 5期号:5页码:63-66 |
| 关键词 | 微电极 卷积法 交流伏安法 |
| ISSN号 | 1000-0518 |
| 通讯作者 | 董绍俊 |
| 中文摘要 | 研究了可逆氧化还原对(以二茂铁为例)在圆盘微铂电极上的卷积法,包括一阶导数卷积(e),二阶导数卷积(e′),三阶导数卷积(e″)的行为.结果表明,在微电极上的 e-E曲线类似于常规电极的循环伏安曲线。e、e′和e″曲线的峰高与扫速幂次的关系与悬汞电极上的规律相符,但其值分别为0.5、1.5、2.5.还研究了微电极的交流伏安行为,得到铁氰化钾的特征电位值。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45684]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董绍俊,贺军. 圆盘微电极的卷积和交流伏安行为[J]. 应用化学,1988,5(5):63-66. |
| APA | 董绍俊,&贺军.(1988).圆盘微电极的卷积和交流伏安行为.应用化学,5(5),63-66. |
| MLA | 董绍俊,et al."圆盘微电极的卷积和交流伏安行为".应用化学 5.5(1988):63-66. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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