Sm(Ⅰ)的振子强度与寿命的单通道量子亏损理论计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 史桂珍 ; 周大凡 |
| 刊名 | 量子电子学报
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 卷号 | 4期号:1页码:8-13 |
| 关键词 | 单通道 有效主量子数 理论计算 强度与寿命 量子亏损理论 振子强度 |
| ISSN号 | 1007-5461 |
| 中文摘要 | 本文报导用单通道量子亏损理论计算Sm(Ⅰ)4f~66s~2→4f~66s6p跃迁的振子强度和激发态寿命的结果,且描述当能量实验值加以修正后再与有效主量子数建立联系,这样普遍适用于含开壳层的原子。最后提出对单通道量子亏损理论进行改进的设想。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45901]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史桂珍,周大凡. Sm(Ⅰ)的振子强度与寿命的单通道量子亏损理论计算[J]. 量子电子学报,1987,4(1):8-13. |
| APA | 史桂珍,&周大凡.(1987).Sm(Ⅰ)的振子强度与寿命的单通道量子亏损理论计算.量子电子学报,4(1),8-13. |
| MLA | 史桂珍,et al."Sm(Ⅰ)的振子强度与寿命的单通道量子亏损理论计算".量子电子学报 4.1(1987):8-13. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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