氧化物气敏半导体与H_2O(g)、O_2(g)及还原性气体相互作用的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张智 |
| 刊名 | 应用化学
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 卷号 | 4期号:4页码:84-85 |
| 关键词 | 氧化物 惰性气氛 气敏半导体 气敏元件 互作用 还原性气体 |
| ISSN号 | 1000-0518 |
| 通讯作者 | 张智 |
| 中文摘要 | 本文系统地研究了SnO_2系和γ-Fe_2O_3元件在变温过程中与H_2O(g)、O_2(g)和还原性气体相互作用的规律。结果表明:Al_2O_3、MgO、Pd、Pt和Sb_2O_3均对元件的体电阻均有调制作用。Al_2O_3是以微粒状存在于元件内,它为元件提供了活化中心,提高了元件的灵敏度。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/45967]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张智. 氧化物气敏半导体与H_2O(g)、O_2(g)及还原性气体相互作用的研究[J]. 应用化学,1987,4(4):84-85. |
| APA | 张智.(1987).氧化物气敏半导体与H_2O(g)、O_2(g)及还原性气体相互作用的研究.应用化学,4(4),84-85. |
| MLA | 张智."氧化物气敏半导体与H_2O(g)、O_2(g)及还原性气体相互作用的研究".应用化学 4.4(1987):84-85. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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