喷涂CuInSe_2膜的性质和CuInSe_2/CdS太阳电池
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王福善 ; 赵国民 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 卷号 | 7期号:1页码:114-118 |
| 关键词 | 黄铜矿结构 CuInSe_2 喷涂膜 太阳电池 Z膜 导电类型 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | CuInSe_2作为一种高效光伏转换材料受到极大的重视。CuInSe_2的禁带宽度为1.04eV,与地面太阳光谱匹配较好,是一种直接跃迁材料,具有高吸收系数,只要几微米的厚度就可以制成高效电池,从而降低了对材料扩散长度的要求。CuInSe_2与CdS有良好的晶格匹配,可以得到效率高于10％的全薄膜p-GuInSe_2/n-CdS电池。研究表明,6—8微米厚的CuInSe_2/ |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46193]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王福善,赵国民. 喷涂CuInSe_2膜的性质和CuInSe_2/CdS太阳电池[J]. 太阳能学报,1986,7(1):114-118. |
| APA | 王福善,&赵国民.(1986).喷涂CuInSe_2膜的性质和CuInSe_2/CdS太阳电池.太阳能学报,7(1),114-118. |
| MLA | 王福善,et al."喷涂CuInSe_2膜的性质和CuInSe_2/CdS太阳电池".太阳能学报 7.1(1986):114-118. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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