化学修饰电极的研究——Ⅸ.普鲁士蓝修饰电极的制备和性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李凤斌 ; 董绍俊 |
| 刊名 | 应用化学
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 卷号 | 3期号:2页码:42-47 |
| 关键词 | 化学修饰电极 普鲁士蓝 氧化还原 |
| ISSN号 | 1000-0518 |
| 通讯作者 | 董绍俊 |
| 中文摘要 | 本文用电化学方法在Pt基体上制备出更稳定的普鲁士蓝修饰电极,可经历0.6—1.1V(Vs.SCE)之间连续一千周以上电位扫描;提出了普鲁士蓝薄膜电化学氧化还原时电子转移的多层模型;系统地研究了电极制备条件、薄膜厚度及溶液pH值对电极伏安行为的影响。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46250]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李凤斌,董绍俊. 化学修饰电极的研究——Ⅸ.普鲁士蓝修饰电极的制备和性能[J]. 应用化学,1986,3(2):42-47. |
| APA | 李凤斌,&董绍俊.(1986).化学修饰电极的研究——Ⅸ.普鲁士蓝修饰电极的制备和性能.应用化学,3(2),42-47. |
| MLA | 李凤斌,et al."化学修饰电极的研究——Ⅸ.普鲁士蓝修饰电极的制备和性能".应用化学 3.2(1986):42-47. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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