五磷酸钐晶体生长与缺陷
文献类型:期刊论文
作者 | 李红军 ; 洪广言 ; 越淑英 ; 刘书珍 |
刊名 | 人工晶体学报
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出版日期 | 1986 |
卷号 | 15期号:1页码:14-18 |
关键词 | 蚀斑 溶液法生长 晶体生长 腐蚀缺陷 化学侵蚀法 生长丘 包裹体 |
ISSN号 | 1000-985X |
中文摘要 | 本文采用蒸发溶液法生长出 SmP_5O_(14)晶体。用光学方法观察了晶体的宏观缺陷,用化学侵蚀法显示晶体的腐蚀缺陷,用扫描电镜和大型金相显微镜观察了蚀斑的形貌特征。初步探讨了这些缺陷的分布规律以及它们与结构的相互关系,得到一些有趣的结果。 |
收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-06-14 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46318] ![]() |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李红军,洪广言,越淑英,等. 五磷酸钐晶体生长与缺陷[J]. 人工晶体学报,1986,15(1):14-18. |
APA | 李红军,洪广言,越淑英,&刘书珍.(1986).五磷酸钐晶体生长与缺陷.人工晶体学报,15(1),14-18. |
MLA | 李红军,et al."五磷酸钐晶体生长与缺陷".人工晶体学报 15.1(1986):14-18. |
入库方式: OAI收割
来源:长春应用化学研究所
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