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五磷酸钐晶体生长与缺陷

文献类型:期刊论文

作者李红军 ; 洪广言 ; 越淑英 ; 刘书珍
刊名人工晶体学报
出版日期1986
卷号15期号:1页码:14-18
关键词蚀斑 溶液法生长 晶体生长 腐蚀缺陷 化学侵蚀法 生长丘 包裹体
ISSN号1000-985X
中文摘要本文采用蒸发溶液法生长出 SmP_5O_(14)晶体。用光学方法观察了晶体的宏观缺陷,用化学侵蚀法显示晶体的腐蚀缺陷,用扫描电镜和大型金相显微镜观察了蚀斑的形貌特征。初步探讨了这些缺陷的分布规律以及它们与结构的相互关系,得到一些有趣的结果。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-14
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46318]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李红军,洪广言,越淑英,等. 五磷酸钐晶体生长与缺陷[J]. 人工晶体学报,1986,15(1):14-18.
APA 李红军,洪广言,越淑英,&刘书珍.(1986).五磷酸钐晶体生长与缺陷.人工晶体学报,15(1),14-18.
MLA 李红军,et al."五磷酸钐晶体生长与缺陷".人工晶体学报 15.1(1986):14-18.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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