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KPrP_4O_(12)晶体的侵蚀观察

文献类型:期刊论文

作者李红军 ; 洪广言 ; 刘书珍 ; 越淑英
刊名人工晶体学报
出版日期1986
卷号15期号:3页码:190-194
关键词中国科学院 蚀斑 侵蚀速率 扫描电镜 人工晶体 位错线 应用化学研究 螺位错 生长丘
ISSN号1000-985X
中文摘要本文用扫描电镜和金相显微镜观察分析了 KPrP_4O_(12)晶体的位错蚀斑。发现在晶体的自然生长面上存在着生长丘,经腐蚀后在相应的地方出现了形貌不规则的蚀斑,并且(?)-KPrP_4O_(12)晶体的位错线是弯折的。结果表明晶体的结构不同,蚀斑的侵蚀速率和形貌都不相同。同时观察到β-KPrP_4O_(12)晶体的堆垛位错,这种位错与晶体的内部结构和位错的攀移有关。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-14
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46321]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李红军,洪广言,刘书珍,等. KPrP_4O_(12)晶体的侵蚀观察[J]. 人工晶体学报,1986,15(3):190-194.
APA 李红军,洪广言,刘书珍,&越淑英.(1986).KPrP_4O_(12)晶体的侵蚀观察.人工晶体学报,15(3),190-194.
MLA 李红军,et al."KPrP_4O_(12)晶体的侵蚀观察".人工晶体学报 15.3(1986):190-194.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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