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电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究

文献类型:期刊论文

作者张瑞峰 ; 肖树义 ; 关兴国
刊名太阳能学报
出版日期1985
卷号6期号:1页码:18-23
关键词质的研究 蒸发膜 基板温度 光伏器件 萤光光谱 电阻率 电子束法 导电机理
ISSN号0254-0096
中文摘要用电子束加热蒸发法制成0.1—1μ厚的ZnIn_2Se_4薄膜。确定了最佳成膜工艺条件,通过不同气氛的热处理可控制材料的导电类型。典型膜的电阻率是4.35×10~(-1)Ω-cm,Hall迁移率是106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度是1.36×10~(17)cm~(-3),禁带宽度为2.23eV。讨论了膜的电阻率、透光率随热处理气氛的变化规律,初步探讨了ZnIn_2Se_4膜的导电机理,并对制作n-ZnIn_2Se_4-p-Si光伏器件作了尝试。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-14
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46472]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张瑞峰,肖树义,关兴国. 电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究[J]. 太阳能学报,1985,6(1):18-23.
APA 张瑞峰,肖树义,&关兴国.(1985).电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究.太阳能学报,6(1),18-23.
MLA 张瑞峰,et al."电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究".太阳能学报 6.1(1985):18-23.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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