电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 张瑞峰 ; 肖树义 ; 关兴国 |
刊名 | 太阳能学报
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出版日期 | 1985 |
卷号 | 6期号:1页码:18-23 |
关键词 | 质的研究 蒸发膜 基板温度 光伏器件 萤光光谱 电阻率 电子束法 导电机理 |
ISSN号 | 0254-0096 |
中文摘要 | 用电子束加热蒸发法制成0.1—1μ厚的ZnIn_2Se_4薄膜。确定了最佳成膜工艺条件,通过不同气氛的热处理可控制材料的导电类型。典型膜的电阻率是4.35×10~(-1)Ω-cm,Hall迁移率是106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度是1.36×10~(17)cm~(-3),禁带宽度为2.23eV。讨论了膜的电阻率、透光率随热处理气氛的变化规律,初步探讨了ZnIn_2Se_4膜的导电机理,并对制作n-ZnIn_2Se_4-p-Si光伏器件作了尝试。 |
收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-06-14 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46472] ![]() |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞峰,肖树义,关兴国. 电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究[J]. 太阳能学报,1985,6(1):18-23. |
APA | 张瑞峰,肖树义,&关兴国.(1985).电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究.太阳能学报,6(1),18-23. |
MLA | 张瑞峰,et al."电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究".太阳能学报 6.1(1985):18-23. |
入库方式: OAI收割
来源:长春应用化学研究所
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