离子注入法在稀土发光研究中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石春山 ; 高桥胜绪 |
| 刊名 | 稀土
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 4页码:65-71 |
| 关键词 | 活性中心 光学活性 稀土离子 重要手段 稀土发光材料 化学剂量 发射光谱 化学研究 发光中心 晶格位置 |
| ISSN号 | 1004-0277 |
| 中文摘要 | 离子注入法是半导体掺杂工艺中的一种极重要手段。即是在真空中将填加粒子离子化,并经静电高能加速后注入到固体基板上。这一方法,自七十年代初期从半导体工艺中移植出来后,已被广泛用于各种非半导体材料的改性、合成等方面,特别是在表面化学研究中获得了显著进展。离子注入法用于发光研究是一个正在被开拓的新领域,用于稀土发光研究更是一种 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46595]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石春山,高桥胜绪. 离子注入法在稀土发光研究中的应用[J]. 稀土,1985(4):65-71. |
| APA | 石春山,&高桥胜绪.(1985).离子注入法在稀土发光研究中的应用.稀土(4),65-71. |
| MLA | 石春山,et al."离子注入法在稀土发光研究中的应用".稀土 .4(1985):65-71. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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