薄膜Cu_XS-CdS异质结构中的表面和界面的AES谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张瑞峰 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 卷号 | 5期号:3页码:8-11 |
| 关键词 | 界面 梯度变化 异质结构 电子能谱仪 表面层 太阳电池 分析结果 扩散区 杂质元素 深度剖面分析 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 通讯作者 | 张瑞峰 |
| 中文摘要 | 本文应用LAS200型多功能电子能谱仪对硫化亚铜(Cu_xS)-硫化镉(CdS)异质结构的表面和深度剖面进行了分析。AES谱的分析结果表明:在Cu_xS-CdS异质结表面不但吸附有杂质氧和氯,而且有碳元素存在。文中指出了某些杂质元素可能对Cu_xS-CdS电池电性能产生的影响。由AES谱的深度剖面分析和化学分析对比得知,在Cu_xS-CdS结构中Cu_xS层厚度大于700埃,而铜在CdS晶界中局部区域扩散的深度可达几千埃。由于铜在CdS层中的梯度变化和铜在结区扩散的宽度,认为Cu_xS-CdS是一个缓变结,衰降的Cu_xS-CdS太阳电池有较宽的铜扩散区。因此控制铜扩散将会对Cu_xS-CdS电池寿命是有益的。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46644]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞峰. 薄膜Cu_XS-CdS异质结构中的表面和界面的AES谱研究[J]. 真空科学与技术学报,1985,5(3):8-11. |
| APA | 张瑞峰.(1985).薄膜Cu_XS-CdS异质结构中的表面和界面的AES谱研究.真空科学与技术学报,5(3),8-11. |
| MLA | 张瑞峰."薄膜Cu_XS-CdS异质结构中的表面和界面的AES谱研究".真空科学与技术学报 5.3(1985):8-11. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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