希土元素在气敏半导体中的作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任玉芳 |
| 刊名 | 传感器与微系统
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | s1页码:5-8 |
| 关键词 | 气敏半导体 ZnO元件 气敏元件 气敏性 希土元素 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 通讯作者 | 任玉芳 |
| 中文摘要 | 国内外对气敏半导体的研究已作了很多工作,也取得了一定的应用。但气敏元件的选择性不好使它的广泛应用受到了限制。所以提高气敏元件的选择性是当前气敏半导体研究的重要课题。 国外主要研究Sno_2、Zno为基体的气敏半导体元件。从七十年代开始研究希土的ABO_3型和A_2BO_4型化合物的气敏性。认为希土和镍或钴的复合氧化物有可能定量检测乙醇或氧气。还研究了 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46700]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任玉芳. 希土元素在气敏半导体中的作用[J]. 传感器与微系统,1984(s1):5-8. |
| APA | 任玉芳.(1984).希土元素在气敏半导体中的作用.传感器与微系统(s1),5-8. |
| MLA | 任玉芳."希土元素在气敏半导体中的作用".传感器与微系统 .s1(1984):5-8. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。