激光沉积硅薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨静然 ; 王西坡 ; 彭桂芳 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 卷号 | 5期号:3页码:338-341 |
| 关键词 | 激光沉积 硅薄膜 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | 近年来,许多国家都致力于用激光方法在铁、铝、玻璃、陶瓷、石墨等便宜基板材料上沉积硅薄膜,其优点是在沉积过程中可以任意选择空间,薄膜的生长能限制在基板一个小点上,这对太阳电池和微电子学是很有意义的。激光诱导沉积硅薄膜,还可以克服其他方法由于长时间加热带来的杂质迁移和来自基板的自掺杂缺点。 国外用于沉积硅薄膜的激光器很多,用得较多的有TEA CO_2激光器,连续CO_2激光器,倍频YAG激光器及氩离子激光器。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46751]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静然,王西坡,彭桂芳. 激光沉积硅薄膜的研究[J]. 太阳能学报,1984,5(3):338-341. |
| APA | 杨静然,王西坡,&彭桂芳.(1984).激光沉积硅薄膜的研究.太阳能学报,5(3),338-341. |
| MLA | 杨静然,et al."激光沉积硅薄膜的研究".太阳能学报 5.3(1984):338-341. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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