聚吡咯膜的电氧化形成和伏安特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋天平 ; 宿伯杰 ; 糜天英 |
| 刊名 | 应用化学
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 卷号 | 1期号:5页码:68-71 |
| 关键词 | Pt电极 电氧化 伏安特性 膜电极 聚吡咯膜 |
| ISSN号 | 1000-0518 |
| 中文摘要 | 本文对铂电极上聚吡咯膜电氧化形成进行了探讨。获得了均匀、有透明感并显现电钯特性的聚吡咯膜。新生成的聚吡咯膜在一些电解液中表现电氧化-还原活性。但长期往复极化后会逐渐退化到高阻的惰性状态。应用聚吡咯膜保护烧结n-CdS光阳极的尝试未取得满意的效果。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46807]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋天平,宿伯杰,糜天英. 聚吡咯膜的电氧化形成和伏安特性[J]. 应用化学,1984,1(5):68-71. |
| APA | 宋天平,宿伯杰,&糜天英.(1984).聚吡咯膜的电氧化形成和伏安特性.应用化学,1(5),68-71. |
| MLA | 宋天平,et al."聚吡咯膜的电氧化形成和伏安特性".应用化学 1.5(1984):68-71. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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