离子注入法在表面化学研究中应用的新进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 石春山 ; 高桥勝绪 |
| 刊名 | 化学通报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 10页码:18-23 |
| 关键词 | 催化活性 穆斯堡尔谱 半导体材料 基板材料 稀土离子 电化学性质 人法 表面化学 离子注入法 学科领域 |
| ISSN号 | 0441-3776 |
| 中文摘要 | 一、引言离子注入法(Ion Implantation)是半导体材料掺杂工艺中常用的一种手段,特别是制作大规模集成电路,这是一种必不可少的方法。然而,近年来,这一方法已逐渐从半导体工艺中延伸并转移到了其他学科领域。尤其在固态化 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46868]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石春山,高桥勝绪. 离子注入法在表面化学研究中应用的新进展[J]. 化学通报,1984(10):18-23. |
| APA | 石春山,&高桥勝绪.(1984).离子注入法在表面化学研究中应用的新进展.化学通报(10),18-23. |
| MLA | 石春山,et al."离子注入法在表面化学研究中应用的新进展".化学通报 .10(1984):18-23. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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