电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖树义 ; 张瑞峰 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 1984 |
| 卷号 | 4期号:4页码:235-239 |
| 关键词 | 制备 方块电阻 铟锡氧化物薄膜 薄膜厚度 透光率 热处理 光电性质 电子束蒸发 电阻率 电子束法 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 用电子束蒸发技术制备出3000-5000A厚,透明导电的锢锡氧化物(ITO)薄膜。这种薄膜的薄层方块电阻是4.5-20Ω/口,在波长为700A时,透光率是80-95％。用x-射线衍射分析测定了薄膜的形貌,测算出它的颗粒度为1-3μ。通过Hall效应测定出薄膜的载流子厚度(N)是3.9×10~(-9)CM~(-3),霍耳迁移率是94cm~2V~(-1)S~(-1),电阻率(P)是4.0×10~(-4)-2×10~(-3)·cm。测得的Hall电压是负值。这说明它是一种n型半导体,与热探针法测得的结果一致。用光学方法计算出薄膜的E_g是3.4ev,该薄膜在制备半导体光伏器件中进行了试用。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46879]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖树义,张瑞峰. 电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质[J]. 真空科学与技术学报,1984,4(4):235-239. |
| APA | 肖树义,&张瑞峰.(1984).电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质.真空科学与技术学报,4(4),235-239. |
| MLA | 肖树义,et al."电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质".真空科学与技术学报 4.4(1984):235-239. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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