多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩桂林 ; 王岚 ; 刘连元 ; 刘雅言 ; 单玉臣 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 1页码:32-34 |
| 关键词 | 剖面分析 掺杂浓度 剖面分布 多晶硅薄膜 多晶硅膜 电阻率 杂质分布 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | G·C·Jain等曾对高温扩散到太阳能等级的多晶硅和单晶硅中的硼作过剖面分析:用阳极氧化对硅层逐次减薄,每次减薄后,用四探针法测剩余硅层的薄层电阻,通过对薄层电阻与剩余硅层厚度(距表面深度)关系的测定,求得硼的剖面分布曲线。我们建立了与此相类似的,更为简单易行的剖面分析方法,用化学腐蚀代替阳极氧化,依据实验数据作图,求出杂质分布剖面,并对CVD法制备的多晶硅膜作了硼杂质的剖面分析。此方法虽不如用具有电子枪剥离装置的俄歇(Auger)电子能谱仪作剖面分析快,但操作及设备简单,可代替俄歇能谱作杂质剖面分析。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46935]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩桂林,王岚,刘连元,等. 多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析[J]. 半导体技术,1983(1):32-34. |
| APA | 韩桂林,王岚,刘连元,刘雅言,&单玉臣.(1983).多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析.半导体技术(1),32-34. |
| MLA | 韩桂林,et al."多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析".半导体技术 .1(1983):32-34. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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