真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李春鸿 ; 姜克斌 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 3页码:33-35 |
| 关键词 | 喷涂热解法 真空热处理 降低电阻率 薄膜电阻 氧化物半导体 喷涂时间 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 由于有些氧化物半导体,如ZnO、In_2O_3、SnO_2、ITO(铟锡氧化物)具有透明导电的性质,它们的应用也越来越广泛。例如,在太阳电池中用做透明导电电极,或作电池的顶层材料形成SIS(半导体-绝缘体-半导体)电池及作抗反射层等。但一般的纯氧化物半导体电阻很大,所以用于上述情况时,必须要经过掺杂或还原等处理,降低电阻率才能使用。为此,对SnO_2、In_2O_3、ITO以及ZnO已有很多制备方法及掺杂等处理的研究报导,并已制成1×10~(-4)Ω·cm左右的薄膜材料。但用化学喷涂热解法制备ZnO薄膜的报导较少。最近,J.Aranovich等人用喷涂法制备了ZnO薄膜,并用氢气还原法把电阻率降低到10~(-3)Ω·cm左右。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46936]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李春鸿,姜克斌. 真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响[J]. 半导体技术,1983(3):33-35. |
| APA | 李春鸿,&姜克斌.(1983).真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响.半导体技术(3),33-35. |
| MLA | 李春鸿,et al."真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响".半导体技术 .3(1983):33-35. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。