变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩桂林 ; 王岚 ; 刘连元 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 卷号 | 4期号:3页码:325-329 |
| 关键词 | 电阻率剖面 p型 成膜温度 面电阻率 剖面分布 n型 多晶硅薄膜 变换工艺 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | 为了制备高效多晶硅薄膜太阳电池及其它半导体薄膜光电器件,除了需要选择成膜工艺条件外,还应借助对工艺条件等的控制,实现对膜的电阻率及其剖面分布的有效控制,这在光伏电池及半导体器件研制过程中是很重要的。本工作基于上述目的,在用化学气相沉积法(C.V.D)制备多晶硅薄膜太阳电池过程中,对膜的电阻率及其剖面分布与各种工艺条件的关 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/46969]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩桂林,王岚,刘连元. 变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响[J]. 太阳能学报,1983,4(3):325-329. |
| APA | 韩桂林,王岚,&刘连元.(1983).变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响.太阳能学报,4(3),325-329. |
| MLA | 韩桂林,et al."变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响".太阳能学报 4.3(1983):325-329. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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