真空蒸发CuInSe_2薄膜的结构和电学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王福善 ; 李培德 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 6页码:441-446 |
| 关键词 | 制备 太阳电池 基板温度 真空蒸发法 薄膜材料 载流子浓度 电阻率 电学性质 单源 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 本文叙述了采用单源和双源真空蒸发法制备CuInSe_2薄膜。研究了CuInSe_2膜的结构和电学性质与基板温度的关系。给出了各种气氛处理对膜电学性质的影响。并且制成了P-CuInSe_2/n-CdS太阳电池。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47107]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王福善,李培德. 真空蒸发CuInSe_2薄膜的结构和电学性质[J]. 真空科学与技术学报,1983(6):441-446. |
| APA | 王福善,&李培德.(1983).真空蒸发CuInSe_2薄膜的结构和电学性质.真空科学与技术学报(6),441-446. |
| MLA | 王福善,et al."真空蒸发CuInSe_2薄膜的结构和电学性质".真空科学与技术学报 .6(1983):441-446. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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