多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩桂林 ; 王玉玲 ; 刘连元 ; 王岚 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:2页码:226-232 |
| 关键词 | 本物 克分子比 结晶粒度 SICI 生长速率 多晶硅薄膜 生长规律 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | 据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47197]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩桂林,王玉玲,刘连元,等. 多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究[J]. 太阳能学报,1982,3(2):226-232. |
| APA | 韩桂林,王玉玲,刘连元,&王岚.(1982).多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究.太阳能学报,3(2),226-232. |
| MLA | 韩桂林,et al."多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究".太阳能学报 3.2(1982):226-232. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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