喷涂热解法制备黄铜矿结构的AglnS_2薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李培德 ; 王福善 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:4页码:455-456 |
| 关键词 | 半导体化合物 喷涂热解法 黄铜矿结构 光伏转换 基板温度 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | AgInS_2为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2族半导体化合物,它的室温禁带宽度为1.9eV。近年来对Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物的研究日益深入,探索AgInS_2作为光伏转换材料,以及它与其它Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物形成多元固溶体光伏转换材料的研究工作也正在进行。Gorska等报道了喷涂热解AgInS_2和AgIn_5S_8薄膜的结果,但没有获得所需要的黄铜矿结构的AgInS_2,而得到了正交结 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47201]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李培德,王福善. 喷涂热解法制备黄铜矿结构的AglnS_2薄膜[J]. 太阳能学报,1982,3(4):455-456. |
| APA | 李培德,&王福善.(1982).喷涂热解法制备黄铜矿结构的AglnS_2薄膜.太阳能学报,3(4),455-456. |
| MLA | 李培德,et al."喷涂热解法制备黄铜矿结构的AglnS_2薄膜".太阳能学报 3.4(1982):455-456. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。