用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩桂林 ; 王岚 ; 刘连元 ; 刘雅言 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:4页码:460-463 |
| 关键词 | 多晶硅层 高温退火 大晶粒 多晶硅薄膜 多晶硅膜 |
| ISSN号 | 0254-0096 |
| 中文摘要 | 多晶硅薄膜是许多小单晶的集合体,存在大量的晶界。这些晶界把小的单晶体相互分隔,构成了材料的内表面,具有很高的态密度,对光生载流子起着复合中心的作用。晶界密度(或品界复合截面)越高,光生载流子的复合效应越强,这对于半导体器件的制作是十分有害的。 为了降低晶界效应,T.L.Chu等曾利用单向再结晶技术,用经过化学提纯的冶金硅粉 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47202]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩桂林,王岚,刘连元,等. 用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜[J]. 太阳能学报,1982,3(4):460-463. |
| APA | 韩桂林,王岚,刘连元,&刘雅言.(1982).用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜.太阳能学报,3(4),460-463. |
| MLA | 韩桂林,et al."用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜".太阳能学报 3.4(1982):460-463. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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