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在石墨电阻炉中用引上法生长YA系列激光晶体材料化学问题的研究——Ⅹ YAP 晶体组成的确定

文献类型:期刊论文

作者顾浩 ; 何静贞
刊名人工晶体学报
出版日期1982
期号Z1页码:16-17
关键词石墨电阻 化学问题 晶体组成 引上法生长 激光晶体材料
ISSN号1000-985X
中文摘要Nd:YAP 是一种有前途的激光晶体、国内外对它的生长工艺、光谱行为、激光器件以 及在相图上的地位与稳定性等方面进行了大量的工作。而对 YAP 的组成除在相图研究中有一般性的报导外还未见过精确地测定。化合物组成是晶体生长和应用的最基础的重要数据。本文采用前报所报导的方法精确地确定了 YAP 晶体的组成。测定了晶体表层及共内部组成,从所得数据可知,当取样晶体厚度>2mm 时,晶体表面残留的 YAM 是不会影响测定的精度。测得 YAP 中 Y 和 Al 之比为1.000,一般可用 YAlO_3表示。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-15
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47206]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
顾浩,何静贞. 在石墨电阻炉中用引上法生长YA系列激光晶体材料化学问题的研究——Ⅹ YAP 晶体组成的确定[J]. 人工晶体学报,1982(Z1):16-17.
APA 顾浩,&何静贞.(1982).在石墨电阻炉中用引上法生长YA系列激光晶体材料化学问题的研究——Ⅹ YAP 晶体组成的确定.人工晶体学报(Z1),16-17.
MLA 顾浩,et al."在石墨电阻炉中用引上法生长YA系列激光晶体材料化学问题的研究——Ⅹ YAP 晶体组成的确定".人工晶体学报 .Z1(1982):16-17.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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