硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张瑞峰 ; 肖树义 |
| 刊名 | 仪器仪表学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:2页码:123-128 |
| 关键词 | 硫化镉 结区 透光率 异质结太阳电池 真空蒸发法 热处理温度 多晶 不同条件 |
| ISSN号 | 0254-3087 |
| 中文摘要 | 本文描述了用真空蒸发法沉积CdS薄膜,再通过CuCl水溶液浸渍法形成p-n结制成CdS/Cu_2S太阳电池的工艺。并报导了电池的主要性能参数,通过对比条件试验和离子探针分析,对CdS/Cu_2太阳电池的光热协同效应进行了探讨,并提出了多晶CdS/Cu_2S太阳电地是一种“递变结”的想法。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47238]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞峰,肖树义. 硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨[J]. 仪器仪表学报,1982,3(2):123-128. |
| APA | 张瑞峰,&肖树义.(1982).硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨.仪器仪表学报,3(2),123-128. |
| MLA | 张瑞峰,et al."硫化镉—硫化亚铜异质结太阳电池的制作与稳定性机理的探讨".仪器仪表学报 3.2(1982):123-128. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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