SIS太阳电池
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李春鸿 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 13期号:3页码:27-32 |
| 关键词 | 功函数 半导体材料 转换效率 太阳电池 半导体薄膜 降低成本 绝缘层 电池结构 界面层 氧化物半导体 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 通讯作者 | 李春鸿 |
| 中文摘要 | 一、前言在太阳电池普及应用中,最大的障碍是它的成本太高。因此,如何降低成本是当前最重要的研究课题之一。降低太阳电池的成本,已有好多途径,如降低硅材料的成本、改进现有技术、采用新技术及采用廉价的成结方法等。 SIS(半导体-绝缘体-半导体)太阳电池,是在此情况下为了降低成本而新近发展起来的一种新的异质结类型电池。它是继MIS(金属-绝缘体-半导体)电池之后,随着透明而又导电的氧化物半导体薄膜的发展而出现的。目前,这种电池如ITO-SiO_x-Si(P型)单晶电池 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-15 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47254]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李春鸿. SIS太阳电池[J]. 功能材料,1982,13(3):27-32. |
| APA | 李春鸿.(1982).SIS太阳电池.功能材料,13(3),27-32. |
| MLA | 李春鸿."SIS太阳电池".功能材料 13.3(1982):27-32. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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