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硫化镉太阳电池的工艺研究——用电子枪技术蒸镀CdS薄膜制造CdS-Cu_2S太阳电池

文献类型:期刊论文

作者张瑞峰 ; 杜有如
刊名太阳能学报
出版日期1981
卷号2期号:2页码:169-173
关键词Cu_2S 硫化镉 工艺研究 CdS薄膜 太阳电池 蒸镀 电子枪
ISSN号0254-0096
中文摘要通过用电子枪蒸发新技术,成功地制备出致密、牢固、耐腐蚀和纯度高的n-型CdS膜。用扫描电子显微镜对CdS膜腐蚀前后的形貌进行了观察比较;采用离子探针技术对成结后的表面层Cd~#与Cu~+的分布进行了分析。采用此种镀膜法,通过结构参数的改进,避免了J.P.Sorbier指出的粒子飞溅现象,并在几种基板上获得I_(sc)、V_(oc)、FF和η的最佳值分别是:25mA/cm~2、480mV、70%和5—6%(AM1)。电子枪技术是沉积CdS膜的较好方法。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2012-06-18
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47313]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张瑞峰,杜有如. 硫化镉太阳电池的工艺研究——用电子枪技术蒸镀CdS薄膜制造CdS-Cu_2S太阳电池[J]. 太阳能学报,1981,2(2):169-173.
APA 张瑞峰,&杜有如.(1981).硫化镉太阳电池的工艺研究——用电子枪技术蒸镀CdS薄膜制造CdS-Cu_2S太阳电池.太阳能学报,2(2),169-173.
MLA 张瑞峰,et al."硫化镉太阳电池的工艺研究——用电子枪技术蒸镀CdS薄膜制造CdS-Cu_2S太阳电池".太阳能学报 2.2(1981):169-173.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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