CdS 膜沉积速率与电学性质关系的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王福善 ; 孙玉茹 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 5页码:298-302 |
| 关键词 | 监测 测厚仪 固有频率 转换系数 石英片 真空沉积 沉积速率 石英晶体 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 本文叙述了石英晶体监测膜厚方法的简单改进。在5～45微米膜厚范围内,在真空镀膜过程中,监测沉积速率和膜厚。并且利用这种方法,研究了真空沉积 Cds 膜的电学性质与沉积速率的关系,进一步研究了 Cu_2S/CdS 太阳能电池的性能与沉积速率的关系。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-18 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47356]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王福善,孙玉茹. CdS 膜沉积速率与电学性质关系的研究[J]. 真空科学与技术学报,1981(5):298-302. |
| APA | 王福善,&孙玉茹.(1981).CdS 膜沉积速率与电学性质关系的研究.真空科学与技术学报(5),298-302. |
| MLA | 王福善,et al."CdS 膜沉积速率与电学性质关系的研究".真空科学与技术学报 .5(1981):298-302. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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