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高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步

文献类型:期刊论文

作者刘江峰 ; 包良满 ; 李晓林
刊名核技术
出版日期2009
期号6
关键词微结构 质子束刻写 无掩模 光刻胶
通讯作者刘江峰
中文摘要在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上,研制了图形化扫描器,同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技术。在此基础上,开展高能聚焦质子束无掩模刻写实验,在厚度约11μm的PMMA光刻胶上刻写出高纵横比的任意图案,取得了初步质子刻写结果,为进一步开展质子纳米束刻写奠定基础。
收录类别CNKI
语种中文
公开日期2012-05-23
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8369]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年
推荐引用方式
GB/T 7714
刘江峰,包良满,李晓林. 高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步[J]. 核技术,2009(6).
APA 刘江峰,包良满,&李晓林.(2009).高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步.核技术(6).
MLA 刘江峰,et al."高能聚焦质子束无掩模刻写方法研究初步".核技术 .6(2009).

入库方式: OAI收割

来源:上海应用物理研究所

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