压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨树敏 ; 贺周同 ; 朱德彰 ; 巩金龙 ; 周兴泰 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 4 |
| 关键词 | 纳米金刚石薄膜 热丝化学气相沉积 压力 Ar浓度 |
| 通讯作者 | 杨树敏 |
| 中文摘要 | 在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响。研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响。在40 torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5 torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长。压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因。在同样的Ar含量下,在5 torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8388]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨树敏,贺周同,朱德彰,等. 压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2009(4). |
| APA | 杨树敏,贺周同,朱德彰,巩金龙,&周兴泰.(2009).压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文).功能材料与器件学报(4). |
| MLA | 杨树敏,et al."压力对热丝化学气相沉积的CH_4/H_2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响(英文)".功能材料与器件学报 .4(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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