CdS纳米晶的制备及其荧光研究
文献类型:期刊论文
作者 | 许荣辉 ; 汪勇先 ; 徐万帮 ; 尹端沚 |
刊名 | 人工晶体学报
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出版日期 | 2006 |
期号 | 5 |
关键词 | CdS纳米晶 水热法 荧光 量子点 |
通讯作者 | 许荣辉 |
中文摘要 | 以醋酸镉、L-半胱氨酸为主要原料,采用水热法制备了尺寸小于10nm、具有强光致荧光的纤锌矿结构CdS半导体纳米晶。水热法可以将晶核形成与晶体生长阶段较好地分开,加之提供的高温熟化条件,可以得到粒度小而均匀、结构良好的纳米晶。用高分辨透射电镜(HRTEM)、XRD对产品的晶体大小、结构进行了详细地表征,分析了影响纳米晶尺寸的因素,用相关性较好的荧光激发与发射光谱研究了硫化镉纳米晶的光致荧光性能。制备的硫化镉(CdS)纳米晶结构良好、粒度均匀、荧光激发专一,最大激发波长在338nm,其发射荧光的波长位于419nm,发射强度大。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-05-23 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8611] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 许荣辉,汪勇先,徐万帮,等. CdS纳米晶的制备及其荧光研究[J]. 人工晶体学报,2006(5). |
APA | 许荣辉,汪勇先,徐万帮,&尹端沚.(2006).CdS纳米晶的制备及其荧光研究.人工晶体学报(5). |
MLA | 许荣辉,et al."CdS纳米晶的制备及其荧光研究".人工晶体学报 .5(2006). |
入库方式: OAI收割
来源:上海应用物理研究所
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