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上海EBIT装置漂移管组件研制

文献类型:期刊论文

作者陈永林 ; 蒋迪奎 ; 朱希恺 ; 郭盘林 ; 许祥义 ; 王纳秀
刊名核技术
出版日期2006
期号12
关键词上海EBIT装置 漂移管组件 高电荷态离子
通讯作者陈永林
中文摘要漂移管组件为EBIT提供约束离子的轴向电势阱,是EBIT装置的核心区域。组件工作在低温、强磁场、高电压、超高真空的环境中,这对工程设计提出了很高的要求。本文介绍了上海EBIT装置的电势阱设计、漂移管组件的结构设计和一些特殊工程问题的处理方法,并对组件进行了低温和高压试验。本文的研究工作,对上海EBIT装置的成功研制有着重要的意义,目前上海EBIT可以稳定运行在100kV/110mA。
收录类别CNKI
语种中文
公开日期2012-05-23
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8624]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年
推荐引用方式
GB/T 7714
陈永林,蒋迪奎,朱希恺,等. 上海EBIT装置漂移管组件研制[J]. 核技术,2006(12).
APA 陈永林,蒋迪奎,朱希恺,郭盘林,许祥义,&王纳秀.(2006).上海EBIT装置漂移管组件研制.核技术(12).
MLA 陈永林,et al."上海EBIT装置漂移管组件研制".核技术 .12(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海应用物理研究所

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