β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张俊刚 ; 李斌 ; 夏长泰 ; 徐军 ; 邓群 ; 徐晓东 ; 吴锋 ; 徐悟生 ; 史宏生 ; 裴广庆 ; 吴永庆 |
| 刊名 | 中国科学(E辑:技术科学)
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| 出版日期 | 2007-03-30 |
| 期号 | 03 |
| 通讯作者 | 张俊刚 |
| 中文摘要 | 利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420nm波长激发,在691nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁. |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-05-30 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8726]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张俊刚,李斌,夏长泰,等. β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性[J]. 中国科学(E辑:技术科学),2007(03). |
| APA | 张俊刚.,李斌.,夏长泰.,徐军.,邓群.,...&吴永庆.(2007).β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性.中国科学(E辑:技术科学)(03). |
| MLA | 张俊刚,et al."β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性".中国科学(E辑:技术科学) .03(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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