基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱伟忠 ; 吴衍青 ; 史沛熊 ; 郭智 ; 邰仁忠 ; 徐洪杰 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2008-06-10 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 软X射线透射光栅 衍射效率 高级硅刻蚀 硅氧化工艺 严格耦合波方法 软X射线干涉光刻 |
| 通讯作者 | 朱伟忠 |
| 中文摘要 | 基于严格的矢量耦合波方法,对13.4nm(92.5eV)软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算,结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高,同时也比目前用于13.4nm软X射线干涉光刻的Cr/Si3N4复合光栅高。本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法,可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题,适用于制作上海光源(SSRF)软X射线干涉光刻分束光栅。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9077]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱伟忠,吴衍青,史沛熊,等. 基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计[J]. 核技术,2008(06). |
| APA | 朱伟忠,吴衍青,史沛熊,郭智,邰仁忠,&徐洪杰.(2008).基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计.核技术(06). |
| MLA | 朱伟忠,et al."基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计".核技术 .06(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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