用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱丹峰 ; 杜光天 ; 郭盘林 ; 朱周侠 ; 朱希恺 ; 傅云清 ; 胡伟 ; 邹亚明 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2008-02-10 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | MEVVA离子源 电子束离子阱 离子注入 |
| 通讯作者 | 朱丹峰 |
| 中文摘要 | 为给上海电子束离子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)装置提供低电荷离子,我们研制了小型金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源,可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示,合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到108~109/cm3。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9115]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱丹峰,杜光天,郭盘林,等. 用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验[J]. 核技术,2008(02). |
| APA | 朱丹峰.,杜光天.,郭盘林.,朱周侠.,朱希恺.,...&邹亚明.(2008).用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验.核技术(02). |
| MLA | 朱丹峰,et al."用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验".核技术 .02(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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