Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate
文献类型：会议论文
| 作者 | Chen, CC（陈长春） ; Liu, ZH ; Huang, WT ; Dou, WZ ; Xiong, XY ; Zhang, W（张伟） ; Peihsin, T ; Cao, JQ（曹建清） |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 8th China-Korea Workshop on Advanced Materials |
| 会议日期 | AUG 02-03, 2004 |
| 会议地点 | Chengdu, PEOPLES R CHINA |
| 页码 | 26 |
| 收录类别 | SCI |
| 会议录 | JOURNAL OF RARE EARTHS
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| 语种 | 英语 |
| ISSN号 | 1002-0721 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8834]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, CC,Liu, ZH,Huang, WT,et al. Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate[C]. 见:8th China-Korea Workshop on Advanced Materials. Chengdu, PEOPLES R CHINA. AUG 02-03, 2004. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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