聚芳醚酮晶体中缺陷的高分辨电子显微象观察
文献类型：会议论文
| 作者 | 阎东航 ; 周恩乐 |
| 出版日期 | 1988 |
| 会议名称 | 第五次全国电子显微学会议 |
| 会议日期 | 1988-10 |
| 会议地点 | 中国湖北武汉 |
| 关键词 | 拍摄方法 晶体取向 聚集态结构 混合位错 显著特点 水平分析 高分子材料 特殊形式 晶体完整 电子辐照 |
| 页码 | 246-246 |
| 中文摘要 | 高分子材料的一个显著特点就是其分子量非常大,它的聚集态结构就由此而显示出特殊性。高分子晶体与小分子或原子晶体间的差异表现在高分子晶体的点阵基元不是完整的分子或原子,而是高分子长链中的一部分。这样高分子晶体中的缺陷也有可能存在特殊形式。虽然高分辨电子显微术已能从原子水平分析晶体的结构,但是由于高分子晶体不耐电子辐照,它应用于高分子晶体方面的研究受到了一定的限制。我们采用了最小剂量高分辨象拍摄方法对聚芳醚酮晶体进行了研究。图1是聚芳醚酮晶体[012]高分辨晶格象,分子链轴方向[001]。标有箭头区域是由晶格象(100)所表现的混合位错。通过晶体完整区域围绕缺陷作布氏回路,得到布氏矢量1(?)=7(?)+n(?) 2。此处混合位错 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 会议主办者 | 中国电子显微镜学会 |
| 会议录 | 第五次全国电子显微学会议论文摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/47722]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阎东航,周恩乐. 聚芳醚酮晶体中缺陷的高分辨电子显微象观察[C]. 见:第五次全国电子显微学会议. 中国湖北武汉. 1988-10. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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