SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2005-04-10 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 应变 硅锗 卢瑟福背散射/沟道效应 高分辨率X射线衍射 拉曼谱 |
| 通讯作者 | 陈长春 |
| 中文摘要 | 如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要。本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9247]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰. SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究[J]. 核技术,2005(04). |
| APA | 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰.(2005).SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究.核技术(04). |
| MLA | 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰."SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究".核技术 .04(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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