低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,柳襄怀,郑里平 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2005-01-10 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 离子束辅助沉积 Ag膜 沟道效应 择优取向 |
| 通讯作者 | 江炳尧 |
| 中文摘要 | 采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9281]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,柳襄怀,郑里平. 低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜[J]. 核技术,2005(01). |
| APA | 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,柳襄怀,郑里平.(2005).低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜.核技术(01). |
| MLA | 江炳尧,蒋军,冯涛,任琮欣,张正选,柳襄怀,郑里平."低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜".核技术 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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