载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2005-03-10 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 钼团簇束 单晶硅 碰撞沉积 二硅化钼(MoSi2) |
| 通讯作者 | 李公平 |
| 中文摘要 | 用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生 Mon 团簇束,当团簇束分别在偏压为 0、1、3、5、10 kV 的–电场中加速后,沉积在室温下的 P 型 Si(111)衬底上,获得 Mo/Si(111)薄膜样品。用 XRD 分析表明,在室温下,偏压≤5 kV 团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的 Mo/Si(111) 样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV 时,团簇束沉积其界面直接有 MoSi2生成。对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以 Mo(110)择优取向生长。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9365]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满. 载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼[J]. 核技术,2005(03). |
| APA | 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满.(2005).载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼.核技术(03). |
| MLA | 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满."载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼".核技术 .03(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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