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扫描样品无损检测多极激励场发生装置

文献类型:专利

作者任育峰 ; 孔祥燕 ; 杨乾声 ; 杨国桢 ; 陈赓华
发表日期2007-04-11
专利国别中国
专利号CN2888445
专利类型发明
权利人中国科学院物理研究所
中文摘要本实用新型公开了一种扫描样品无损检测多极激励场发生装置,激励线圈的磁芯采用4片具有高磁导率的坡莫合金(1J85)叶片对接制成,每只叶片为U型,夹角为90°,所述叶片包括底边、竖边和横边,底边和竖边相互垂直,横边与竖边的夹角为120°~160°,4片横边的顶端之间间隔适当距离;所述叶片之间相互绝缘,叶片的底边和竖边上缠绕有漆包线,相邻两个叶片的上的漆包线缠绕方向相反。本实用新型采用四极激发线圈代替双D型线圈,能够测量较深的缺陷,并且还具有如下优点:①场随空间衰减更快,所以噪声小;②在SQUID器件处更易平衡
是否PCT专利
公开日期2007-04-11 ; 2007-04-11
申请日期2005-11-23
专利申请号200520142119.9
专利代理尹振启
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/109119]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
任育峰,孔祥燕,杨乾声,等. 扫描样品无损检测多极激励场发生装置. CN2888445. 2007-04-11.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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