基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 江川 ; 汪建华 ; 熊礼威 ; 翁俊 ; 苏含 ; 刘鹏飞 |
刊名 | 武汉工程大学学报
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出版日期 | 2012 |
期号 | 4页码:39-42+46 |
关键词 | 微波等离子体 化学气相沉积 纳米金刚石薄膜 沉积温度 |
中文摘要 | 采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右. |
公开日期 | 2012-07-07 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/5441] ![]() |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院等离子体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川,汪建华,熊礼威,等. 基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响[J]. 武汉工程大学学报,2012(4):39-42+46. |
APA | 江川,汪建华,熊礼威,翁俊,苏含,&刘鹏飞.(2012).基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响.武汉工程大学学报(4),39-42+46. |
MLA | 江川,et al."基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响".武汉工程大学学报 .4(2012):39-42+46. |
入库方式: OAI收割
来源:合肥物质科学研究院
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