As(V)在TiO_2表面的吸附机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张美一 ; 何广智 ; 丁程程 ; 陈灏 ; 潘纲 |
| 刊名 | 物理化学学报
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| 出版日期 | 2009-10-15 |
| 期号 | 10页码:2034-2038 |
| 关键词 | TiO2 As(V) 吸附 延展X射线吸收精细结构 密度泛函理论 微观吸附构型 |
| 中文摘要 | 用延展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱和密度泛函理论(DFT)研究了As(V)-TiO2体系的吸附机理.离子强度变化对As(V)-TiO2体系吸附无显著影响,表明吸附后形成了内层络合物.EXAFS结果表明,As(V)原子主要通过—AsO4上的O原子结合到TiO2表面上,平均As-O原子间距(R)在吸附前后无明显变化,保持在(0.169±0.001)nm.As-Ti层的EXAFS分析结果与DFT计算的吸附构型的As-Ti原子间距对照表明,体系存在两种主要亚稳平衡吸附(MEA)结构,即对应于R1=(0.321±0.002)nm的双角(DC)强吸附构型和R2=(0.360±0.002)nm的单角(SC)弱吸附构型.而且随着吸附量由9.79mg?g-1增加至28.0mg?g-1,吸附样品中双角构型配位数与单角构型配位数的比值(CN1/CN2)从3.3降低到1.6,说明双角亚稳平衡吸附结构在低覆盖度时占优势,而在高表面覆盖度时单角亚稳平衡吸附结构占优势,即在表面覆盖度较大时,As(V)在TiO2表面上倾向于形成单角构型. |
| 公开日期 | 2012-07-06 |
| 源URL | [http://ir.rcees.ac.cn/handle/311016/5349]  |
| 专题 | 生态环境研究中心_环境水质学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张美一,何广智,丁程程,等. As(V)在TiO_2表面的吸附机理[J]. 物理化学学报,2009(10):2034-2038. |
| APA | 张美一,何广智,丁程程,陈灏,&潘纲.(2009).As(V)在TiO_2表面的吸附机理.物理化学学报(10),2034-2038. |
| MLA | 张美一,et al."As(V)在TiO_2表面的吸附机理".物理化学学报 .10(2009):2034-2038. |
入库方式： OAI收割
来源：生态环境研究中心
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