一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法
文献类型:专利
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作者 | 徐恒泳 ; 唐春华 ; 孙剑 ; 董恩宁 ; 侯守福 |
发表日期 | 2011 |
专利国别 | 中文 |
专利号 | CN201110200460.5 |
专利类型 | 发明 |
关键词 | 物理化学 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
是否PCT专利 | 待填写 |
中文摘要 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2012-01-25 |
申请日期 | 2011-07-18 |
语种 | 中文 |
资助信息 | 中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学 |
专利证书号 | 待填写 |
专利申请号 | CN201110200460.5 |
专利代理 | 马驰 |
源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/116274] |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐恒泳,唐春华,孙剑,等. 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法, 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法. CN201110200460.5. 2011-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:大连化学物理研究所
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