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一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法

文献类型:专利

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作者徐恒泳 ; 唐春华 ; 孙剑 ; 董恩宁 ; 侯守福
发表日期2011
专利国别中文
专利号CN201110200460.5
专利类型发明
关键词物理化学
权利人中国科学院大连化学物理研究所
是否PCT专利待填写
中文摘要一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。
学科主题物理化学
公开日期2012-01-25
申请日期2011-07-18
语种中文
资助信息中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学
专利证书号待填写
专利申请号CN201110200460.5
专利代理马驰
源URL[http://159.226.238.44/handle/321008/116274]  
专题大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐恒泳,唐春华,孙剑,等. 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法, 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法. CN201110200460.5. 2011-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:大连化学物理研究所

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