一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 李灿 ; 程士敏 ; 任通 ; 高惠平 ; 应品良 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利国别 | 中文 |
| 专利号 | CN201010238694.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备，催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持，没有观测到硅化物的生成，即表现出很好的抗老化性能，具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单，条件易于控制，适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。 |
| 是否PCT专利 | 待填写 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2012-02-01 |
| 申请日期 | 2010-07-28 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学 |
| 专利证书号 | 待填写 |
| 专利申请号 | CN201010238694.4 |
| 专利代理 | 马驰 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/116277]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李灿,程士敏,任通,等. 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法, 一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法. CN201010238694.4. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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