一种阴离子交换膜及其制备和应用
文献类型：专利
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| 作者 | 张华民 ; 张凤祥 ; 曲超 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利国别 | 中文 |
| 专利号 | CN201010524782.0 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 待填写 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种阴离子交换膜及其制备方法和应用，提出一种侧链上含有多氮杂环正离子作为导离子基团的阴离子交换膜及其制备方法。该类阴离子膜的制备采用先成盐后制膜的路线，成盐过程为均相反应，反应容易进行；浇铸成膜过程中容易形成微相分离结构，有利于提高膜的电导性能，所得阴离子膜具有较高的电导率和稳定性。 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2012-05-16 |
| 申请日期 | 2010-10-29 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学 |
| 专利证书号 | 待填写 |
| 专利申请号 | CN201010524782.0 |
| 专利代理 | 马驰 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/116332]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张华民,张凤祥,曲超. 一种阴离子交换膜及其制备和应用, 一种阴离子交换膜及其制备和应用. CN201010524782.0. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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