沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郝会颖 ; 李伟民 ; 曾湘波 ; 孔光临 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 42期号:8页码:1489-1491 |
| 中文摘要 | 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目,国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目,中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-07-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23295]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝会颖,李伟民,曾湘波,等. 沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响[J]. 功能材料,2011,42(8):1489-1491. |
| APA | 郝会颖,李伟民,曾湘波,孔光临,&廖显伯.(2011).沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响.功能材料,42(8),1489-1491. |
| MLA | 郝会颖,et al."沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响".功能材料 42.8(2011):1489-1491. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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